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ZX5513 四探针方阻测试仪
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产品型号
型号 | 简要概括 | 产品手册 |
| ZX5513 | 电阻基本精度：0.05%（分辨率 1μΩ）；量程：20mΩ～2MΩ；支持直排/矩形双探头；支持厚度/尺寸双重几何修正。 |
功能与优势
● 支持 R、R□、RY、CY 四参数同屏显示 ● 提供“无限大”与“无限薄”模式 ● 支持 F(W/S) 厚度修正与 D(d/S) 尺寸修正 ● 九档量程自动匹配 ● 测试探头直排和矩形可选 | ● 测试端接触检查功能 ● 电阻最⾼精度：0.05%，最小分辨率：1μΩ ● 测试条件保存，仪器内部50组，U盘500组测试文件 ● 键盘锁定功能，关机自动保存测试条件，下次无需重设定 ● 灵活的接口功能，按需求定义实现数据记录、保存、处理 ● 专利技术，无需安装软件即可上传结果到电脑 |
核心量测技术
◆ 方阻与电阻率：判断导电性能的核心指标
在透明导电膜（如ITO/FTO）、半导体外延层及金属镀膜等材料的研发与质检中，方块电阻（R□）和电阻率（ρ，仪器显示为RY）是评估薄膜导电性能是否达标的最核心参数。
方块电阻：描述的是“一个正方形薄膜的面内电阻”，它天然绑定了厚度信息，是薄膜材料最直观的导电性指标。
电阻率：是材料的三维本征参数，反映材料自身的导电能力（取决于载流子浓度与迁移率）。
两者可通过厚度（W）进行换算，即 ρ = R□ × W，此换算的前提是满足二维薄层条件，即膜厚 W 需远小于探针间距 S。
◆ 直流四探针法测量原理
测量时，四根等间距的金属探针垂直接触样品表面：外侧两针由恒流源注入并流出电流（I），内侧两针连接高阻抗电压表测量电压（V）。由于电压表支路阻抗极高，流经内侧探针的电流近似为零，探针与薄膜之间的接触电阻几乎不产生压降，因此测得的 V 仅反映薄膜本身的导电能力，从根本上消除了接触电阻对测量结果的干扰。
结合取决于样品与测量几何的修正系数k，即可计算方块电阻： R□=k×V/I 。整个测量过程无需制作欧姆接触电极，对样品无损且测量速度快，构成了“电流激励 → 电压读取 → 几何校正 → 方阻输出”的完整闭环。
◆ 几何修正：尺寸与厚度的双重补偿
四探针的理想推导基于“横向无限大、纵向极薄”的假设，即电流场自探针向各方向均匀扩散。实际测量中，样品的物理边界会截断理想电流场，导致内部电场畸变，实测值偏离真实值。仪器须在两个独立维度进行补偿：
尺寸修正（横向边界效应）：当样品长宽与探针间距可比时，电流场在边缘处受到压缩，导致测量值失真。对于小尺寸样品，必须引入形状修正因子D(d/S)，补偿边缘引起的电场畸变。
厚度修正（纵向三维扩散）：方阻的推导要求膜厚远小于探针间距。当样品较厚时，电流向深度方向产生三维扩散，导致表面探针测得的电位差偏小、视在方阻失真。此时必须引入厚度修正因子F(W/S)，对纵向的电流弥散进行补偿。
ZX5513 提供 F(W/S) 与 D(d/S) 校正开关及系数输入，使非理想几何样品同样获得可信的测量结果。
参数与尺寸
| 型号 | ZX5513 |
| 测试参数 | 电阻（R）、方阻（R□）、电阻率（RY）、电导率（CY） |
| 测量方式 | 直流四探针法（四端测量） |
| 分辨率 | 1μΩ |
| 测试范围 | 电阻：1μΩ~2MΩ |
| 测量精度 | 电阻：0.05%+2个字 |
| 量程方式 | 自动、锁定（手动） |
| 量程 | 20mΩ / 200mΩ / 2Ω / 20Ω / 200Ω / 2kΩ / 20kΩ / 200kΩ / 2MΩ，共九档 |
| 测试速度 | 快速40次/秒，中速15次/秒，慢速6次/秒 |
| 信号源 | 恒流 DC 1uA~1A，各量程自动匹配测试电流 |
| 探头类型 | 直排探针、方形探针（订购时确定） |
| 修正功能 | F(W/S) 厚度修正、D(d/S) 尺寸修正、样品方式（无限大、无限薄） |
| 清零功能 | 短路清零 |
| 触发方式 | 内部触发（INT），外部触发（EXT） |
| 比较器 | R、R□、RY、CY 独立上/下限设置，PASS/FAIL 判定，讯响提示 |
| 接口 | RS232，USB DEVICE，USB HOST，HANDLER，GPIB（选件） |
| 电源 | 电压：100VAC~120VAC或198VAC~242VAC； 频率：46Hz~64Hz；功率大于50VA |
| 体积(WxHxD) | 310mm*110mm*315mm |
| 重量（净重） | 4.5kg |
单位：毫米（mm）
附件&选配件
ZX5513Y1 直排四探针测试治具
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